东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型
编辑: admin    文章来源:国际文传电讯社     发布日期:2021-12-01

日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称东芝)推出了采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705HTLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件即日起开始批量出货。

 

TLP5705H采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄型封装(SO6L),是东芝首款可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器和伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

 

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5ASO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1],便于替代东芝现有产品[2]SO6LSDIP6更纤薄,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,或用于器件高度受限的新型电路设计。

 

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃Ta=-40125ºC),使其更容易设计和保持温度裕度。

 

此外,东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。

 

注:
[1]
封装高度:4.25毫米(最大值)
[2]
当前产品:采用SDIP6封装的TLP700H

 

应用

 

工业设备

 

·         工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

 

特性

 

  • 高峰值输出电流额定值(Ta-40℃125℃时)
         IOP=±2.5A (TLP5702H)
         IOP=±5.0A (TLP5705H)

  • 薄型SO6L封装

  • 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125°C

 

主要规格


(除非另有说明,Ta=-40℃125℃时)

器件型号

TLP5702H  

TLP5705H  

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封装

名称

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸(mm)  

10×3.84(典型值)

 

厚度:2.3(最大值)

11.05×3.84(典型值)

 

厚度:2.3(最大值)

绝对最大额定值

工作温度Topr   (°C)

-40125

峰值输出电流IOPH/IOPL   (A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

电气特性

峰值高电平输出电流

 

IOPH最大值(A)

IF=5mA

 

VCC=15V

 

V6-5=-7V

-2.0

峰值低电平输出电流

 

IOPL最小值(A)

IF=0mA

 

VCC=15V

 

V5-4=7V

2.0

峰值高电平输出电流(L/H)  

 

IOLH最大值(A)

IF=0→10mA

 

VCC=15V

 

Cg=0.18μF

 

CVDD=10μF

-3.5

-3.5

峰值低电平输出电流(H/L)  

 

IOHL最小值(A)

IF=10→0mA

 

VCC=15V

 

Cg=0.18μF

 

CVDD=10μF

3.0

3.0

电源电压VCC   (V)

1530

电源电流ICCHICCL最大值(mA)

3.0

输入电流阈值(L/H)  

 

IFLH最大值(mA)

5

开关特性

传播延迟时间

 

tpHLtpLH最大值(ns)

200

脉冲宽度失真

 

|tpHL–tpLH|最大值(ns)

50

传播延迟差

 

(器件到器件)

 

tpsk   (ns)

-8080

共模

 

瞬变抗性

 

CMHCML最小值(kV/μs)

Ta=25°C

±50

隔离特性

隔离电压

 

BVS最小值(Vrms)

Ta=25°C

5000

样品查询与供货情况

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

 

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSIHDD产品。
公司在全球各地的2.2万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过7,100亿日元(65亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。


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